Enhanced Reliability of a-IGZO TFTs with a Reduced Feature Size and a Clean Etch-Stopper Layer Structure
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
a comparison of teachers and supervisors, with respect to teacher efficacy and reflection
supervisors play an undeniable role in training teachers, before starting their professional experience by preparing them, at the initial years of their teaching by checking their work within the proper framework, and later on during their teaching by assessing their progress. but surprisingly, exploring their attributes, professional demands, and qualifications has remained a neglected theme i...
15 صفحه اولa comparison of linguistic and pragmatic knowledge: a case of iranian learners of english
در این تحقیق دانش زبانشناسی و کاربردشناسی زبان آموزان ایرانی در سطح بالای متوسط مقایسه شد. 50 دانش آموز با سابقه آموزشی مشابه از شش آموزشگاه زبان مختلف در دو آزمون دانش زبانشناسی و آزمون دانش گفتار شناسی زبان انگلیسی شرکت کردند که سوالات هر دو تست توسط محقق تهیه شده بود. همچنین در این تحقیق کارایی کتابهای آموزشی زبان در فراهم آوردن درون داد کافی برای زبان آموزان ایرانی به عنوان هدف جانبی تحقیق ...
15 صفحه اولvalidation of a revised logical-mathematical intelligence scale and exploring its relationship with english language proficiency
نظریه هوش چندگانه قسمتهای متفاوت هوش بشری را مورد بررسی قرار می دهد که با شناخت آن شخص به درک بهتری از توانایی های خود میرسد و در نتیجه سعی در استفاده از آن جهت یادگیری بهتر میکند. همچنین با شناخت استعداد دانش آموزان، فرایند یادگیری بهتر میشود. هدف از انجام دادن این تحقیق بررسی رابطه بین هوش ریاضی و استعداد یادگیری زبان انگلیسی میباشد. برای انجام این تحقیق از پرسشنامه هوش ریاضی که توسط شیرر در ...
Analytic Models of Synchronized Dual-Gate a-IGZO TFTs
The equations for the transfer characteristics and sub-threshold swing of dual-gate a-IGZO TFTs, when the top and bottom gate electrodes are connected (synchronized), are developed based on device physics. From these equations, it is found that synchronized DG aIGZO TFTs can be considered as conventional TFTs with modified gate capacitance and threshold voltage. The device parameters of coplana...
متن کاملBack channel etch chemistry of advanced a-Si:H TFTs
0167-9317/$ see front matter 2010 Elsevier B.V. A doi:10.1016/j.mee.2010.08.001 ⇑ Corresponding author. E-mail address: [email protected] (J. Kanick We report on the effects of back channel etch depth and etchant chemistry on the electrical characteristics of inverted staggered advanced amorphous silicon thin-film transistors. We found that the optimum amorphous silicon film thickness in t...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Nanoscale Research Letters
سال: 2019
ISSN: 1931-7573,1556-276X
DOI: 10.1186/s11671-019-3001-3